[논문 – 09/14/2021] 이봉재 교수 연구실과 CETPM 소속 이정철 교수 연구실이 공동으로 진행한 고온 어닐링 공정에서 Si와 Ge 웨이퍼 표면에서 발생하는 defects formation에 관한 연구 결과가 Journal of Vacuum Science & Technology A 에 게재 승인 되었습니다. 이 연구에서는 어닐링 온도와 시간에 따라 발생하는 defects의 형상을 3가지로 구분하였고, 이러한 defects들이 발생하는 메커니즘으로 chemical desorption과 surface diffusion이 서로 상호 작용함을 밝였습니다. 그리고 매끈한 표면을 얻을 수 있도록 표면 defects 억제 방법을 제시하여 향후 Silicon-on-Nothing 혹은 Germanium-on-Nothing 디바이스 퀄러티를 높일 수 있는데 기여할 수 있을 것으로 기대합니다. 이 연구에 제2 저자로 참여한 정문경 박사과정 축하합니다.
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